[1]董林,王宇,张广涛,等.氮掺杂TiO2纳米管阵列的制备研究[J].郑州大学学报(工学版),2010,31(04):93-96.[doi:10.3969/j.issn.1671-6833.2010.04.023]
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氮掺杂TiO2纳米管阵列的制备研究()
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《郑州大学学报(工学版)》[ISSN:1671-6833/CN:41-1339/T]

卷:
31
期数:
2010年04期
页码:
93-96
栏目:
出版日期:
2010-04-01

文章信息/Info

作者:
董林; 王宇; 张广涛; 等.
郑州大学,材料科学与工程学院,河南,郑州,450001;河南安彩高科股份有限公司,河南,安阳,455000, 郑州大学,材料科学与工程学院,河南,郑州,450001, 河南安彩高科股份有限公司,河南,安阳,455000
关键词:
TiO2纳米管;  氯掺杂;  XRD;  SEM;  Raman;  XPS
DOI:
10.3969/j.issn.1671-6833.2010.04.023
摘要:
采用阳极氧化法制备了孔径为60～80 nm,壁厚约为20～30 nm的高有序TiO2纳米管阵列,并通过氨气氛下退火处理对TiO2纳米管进行N掺杂.利用扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射(XRD)、喇曼光谱(Raman)及X射线光电子能谱(XPS)对得到的薄膜进行表征.SEM结果显示,经掺N后样品仍呈纳米管阵列的有序结构.XRD和Raman光谱研究表明,经过阳极氧化并在NH3气氛中500℃退火30min的纳米管阵列为锐钛矿与金红石晶型共存的TiO2,且N的引入促进了TiO2纳米管在低温下由锐钛矿相向金红石相的转变.N掺杂样品.XPS中出现了结合能位于399.7 eV的N 1s峰,该峰来源于TiO2的间隙N杂质原子,显示此方法在TiO2纳米管中实现了有效的N掺杂.
更新日期/Last Update: 1900-01-01